در این مقاله مشخصه های تشدید تونل زنی (ضریب عبور، چگالی جریان و مقاومت دیفرانسیل منفی) از چاه های کوانتومی دوگانه مثلثی Alx Ga1-x As / Ga As بررسی شده است. برای حل معادله مستقل از زمان شرودینگر در ساختارهای چاه مثلثی از تابع ایری استفاده شده است. به طور اساسی، عبارت های دقیق ضرایب بازتاب وعبور قبل و بعد از اعمال میدان الکتریکی خارجی برای دو چاه کوانتومی مثلثی متقارن بر اساس تقریب جرم موثر به عنوان تابعی از پارامترهای ساختار شامل پهنای چاه، پهنای سد، عمق چاه و ولتاژ اعمال شده به دست آمده اند. نتایج نشان می دهند که یک رفتار مقاومت دیفرانسیلی منفی در این گونه چاه های کوانتومی دیده می شود.

در این مقاله اثر پهنای سد و پهنای چاه کوانتومی GaN/AlGaN بر روی انرژی گذارهای اپتیکی و طیف فتولومینسانس آنها با استفاده از تکنیک فتولومینسانس مورد بررسی قرار گرفته است. مطالعه طیف فتولومینسانس این چاه های کوانتومی در دماهای پایین نشان می دهد که نحوه تغییرات انرژی گذار اپتیکی بر حسب پهنای سد در ساختارهای کوانتومی GaN/AlGaN بر خلاف آنچه که در سایر نیمرساناها از قبیل آلیاژهای GaAs مشاهده شده، می باشد و با کاهش پهنای سد در این نوع چاه های کوانتومی جابه جایی به سمت انرژی های بیشتر در قله طیف فتولومینسانس دیده می شود که علت آن با یک بحث نظری توضیح داده شده است. نحوه تغییرات انرژی گذارهای اپتیکی بر حسب پهنای چاه در چاه های کوانتومی چندگانه GaN/AlGaN به صورت تئوری محاسبه شده و نشان داده شده است که با نتایج تجربی به خوبی همخوانی دارد. همچنین در این کار نشان داده ایم که پهنای چاه کوانتومی در میزان همپوشانی فضایی توابع موج الکترون و حفره و استتار کردن میدان های قطبشی داخلی اثر مستقیم دارد.

در این مقاله مساله یک ذره کوانتومی در چاه پتانسیل بی نهایت یک بعدی با دیواره متحرک را بررسی می کنیم. بر پایه رهیافت هامیلتونی موثر و با استفاده از مفاهیم تبدیلات پیمانه ای نشان می دهیم که اثر دیواره متحرک به صورت یک فاکتور فاز اضافی در تابع موج ظاهر می شود که به سرعت حرکت دیواره بستگی دارد.

در این مقاله، چگالی متقارن شده توزیع های نوع I و II بتای ماتریس متغیر ناتکین نامرکزی دوگانه را تحت تعریف های متفاوت تعیین می کنیم.

اخیرا خواص حرارتی نانوساختارهای نیمرسانا و ابرشبکه هاتوجه زیادی را به دلائل زیر به خود معطوف کرده است. اولا کاهش پیوسته ابعاد مدارها و افزاره های میکروالکترونیک که باعث افزایشی در توان اتلافی در واحد سطح تراشه ی نیمه هادی می شود. در نتیجه تاثیر آثار اندازه روی رسانش گرمایی برای طراحی افزاره و قابلیت اعتماد به آن بسیار حائز اهمیت خواهد بود. ثانیا طراحی و ساخت دستگاه های دو بعدی چاه کوانتومی نیمه هادی ناهمگون منجر به کاهش رسانش گرمایی و بهبود کارائی ترموالکتریکی آنها می شود. در این کار پژوهشی خواص گرمایی یک ساختار دوبعدی نیمه هادی مانند چاه کوانتومیSi و Ge با لحاظ نرخ واهلش فونون در فرآیندهای پراکندگی واگرد، پراکندگی مرزی و پراکندگی اختلاف جرم را بررسی کرده و رسانش گرمایی را محاسبه و رسم کردیم. مشاهده گردید که هدایت حرارتی می تواند با تنظیم ضخامت لایۀ جداگر تعدیل شود. همچنین نتایج محاسبات نشان می دهد که هدایت حرارتی چاه کوانتومی نمونه در حدود یک مرتبه کمتر از انبوهۀ مشابه اش است. نتایج ما با داده های نظری و تجربی اخیر توافق دارد.

لطفا برای مشاهده چکیده به متن کامل (PDF) مراجعه فرمایید.